Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 153 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiDR5802EP, SiD系列
- RS 库存编号:
- 735-134
- 制造商零件编号:
- SiDR5802EP
- 制造商:
- Vishay
N
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-134
- 制造商零件编号:
- SiDR5802EP
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 153A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 系列 | SiD | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0029Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37.3nC | |
| 正向电压 Vf | 80V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 6mm | |
| 长度 | 7mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 153A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
系列 SiD | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0029Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37.3nC | ||
正向电压 Vf 80V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 6mm | ||
长度 7mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay N通道MOSFET的额定漏源电压为80 V,可在AI服务器和数据中心应用中实现高效电源转换。它在 10 V 栅极驱动下具有最大 2.9 mΩ 的超低导通电阻,可减少同步降压拓扑中的传导损耗。
TC=25°C 时连续排放电流为 153 A
28nC 典型总栅极电荷,可实现快速切换
-55°C 至 +175°C 扩展温度范围