Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 227 A, powerpak so - 8DC, 表面安装, 8引脚, SIDR626EP-T1-RE3, SIDR系列
- RS 库存编号:
- 268-8285
- 制造商零件编号:
- SIDR626EP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB23.455 | RMB46.91 |
| 50 - 98 | RMB21.04 | RMB42.08 |
| 100 - 248 | RMB17.215 | RMB34.43 |
| 250 - 998 | RMB16.87 | RMB33.74 |
| 1000 + | RMB15.165 | RMB30.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 268-8285
- 制造商零件编号:
- SIDR626EP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 227A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SIDR | |
| 包装类型 | powerpak so - 8DC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00174Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 102nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 227A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SIDR | ||
包装类型 powerpak so - 8DC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00174Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 102nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay N 通道 TrenchFET 4 代功率 MOSFET 具有顶部冷却功能,提供额外的热传输场所。它可用于同步整流、电动机驱动开关、电池和负载开关等应用。
调整为最低功能数字
符合 ROHS 标准
100% UIS 测试