Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 91 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiSD4604LDN, SiS系列

N

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735-141
制造商零件编号:
SiSD4604LDN
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

91A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

SiS

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0034Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

60V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最大功耗 Pd

57W

最高工作温度

150°C

宽度

4mm

高度

1mm

标准/认证

RoHS

长度

4mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N通道MOSFET的额定漏源电压为60 V,针对AI电源服务器直流/直流转换器和同步整流电路的高效切换进行了优化。它在 10 V 栅极驱动下可实现极低的导通电阻,最大为 1.7 mΩ,可在高电流应用中将传导损耗降至最低

57W 功耗

28A 连续漏电流

低 15nC 最大总栅极电荷