Vishay 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7.9 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SI9945CDY-T1-GE3, SI9945CDY系列
- RS 库存编号:
- 736-345
- 制造商零件编号:
- SI9945CDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- SI9945CDY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | SI9945CDY | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.032Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| 最大功耗 Pd | 3.6W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 双N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 7.9A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 SI9945CDY | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.032Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.3nC | ||
最大功耗 Pd 3.6W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N 沟道 MOSFET 专为实现高效电源管理而设计。适用于负载开关、液晶电视逆变器电路等多种应用场景。
TrenchFET 技术可降低开关损耗
Qg、Qgd 与 Qgs 比值优化，提升性能
100% 通过栅极电阻与雪崩能力测试，确保可靠性