Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=162 A, 8针, PowerPAK 1212-8S, SISS52DN系列

N
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736-353
制造商零件编号:
SISS52DN-T1-BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

162A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK 1212-8S

系列

SISS52DN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00095Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

57W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

16V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

3.3mm

长度

3.3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N 沟道 MOSFET 专为高可靠性开关应用设计，在电源管理解决方案中提供卓越的效率和可靠性。

100% 通过栅极电阻与雪崩能量测试，确保卓越的可靠性

材料合规分类提升环境安全性

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