Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=400 V, 43 A, PG-HDSOP-16, 表面安装, 16引脚, IMLT40R045M2HXTMA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 762-907
- 制造商零件编号:
- IMLT40R045M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB37.07 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-907
- 制造商零件编号:
- IMLT40R045M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 43A | |
| 最大漏源电压 Vd | 400V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-16 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 44.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 正向电压 Vf | 4.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 2.35 mm | |
| 高度 | 15.2mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 43A | ||
最大漏源电压 Vd 400V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 PG-HDSOP-16 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 16 | ||
最大漏源电阻 Rd 44.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
正向电压 Vf 4.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 2.35 mm | ||
高度 15.2mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 10.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET特别适用于高频开关和同步整流,并具有基准栅极阈值电压。此外,它还采用XT互连技术,实现了同类最佳的热性能。
100% 雪崩测试
推荐门驱动电压
符合工业应用标准
用于储能、UPS 和电池形成