ROHM P-通道沟道 MOSFET, Vds=-30 V, 40 A, DFN3333T8LSAB, 表面安装, 8引脚, RH7E04BBJFRATCB

N
可享批量折扣

小计 50 件 (按连续条带形式提供)*

RMB345.20

(不含税)

RMB390.10

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
新商品 - 立即预订
  • 2026年6月08日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
50 - 245RMB6.904
250 +RMB5.57

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
780-657P
制造商零件编号:
RH7E04BBJFRATCB
制造商:
ROHM
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

ROHM

槽架类型

P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

-30V

包装类型

DFN3333T8LSAB

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

11.3Ω

最大功耗 Pd

75W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-10V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

65nC

最高工作温度

175°C

宽度

3.4mm

长度

3.4mm

高度

1.1mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

ROHM功率MOSFET为先进汽车和工业电源管理提供高可靠性的P沟道开关解决方案。这款坚固耐用的设备专为ADAS和车身控制模块设计,确保在高温环境中也能高效运行。

漏源电压为 -30V

连续漏极电流为-40A

在-10V电压下的典型导通电阻为7.5mΩ

功耗高达 75 W