ROHM N沟道 MOSFET, Vds=100 V, 12 A, HSMT, 表面安装, 8引脚, RQ3P120BLFRATCB
- RS 库存编号:
- 780-680P
- 制造商零件编号:
- RQ3P120BLFRATCB
- 制造商:
- ROHM
N
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 780-680P
- 制造商零件编号:
- RQ3P120BLFRATCB
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | HSMT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 83mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10V | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 宽度 | 3.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 HSMT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 83mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.8nC | ||
最大栅源电压 Vgs 10V | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.9mm | ||
宽度 3.1mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ROHM功率MOSFET为汽车电源管理提供高性能N沟道开关解决方案。这款通过AEC-Q101认证的设备专为ADAS和信息娱乐系统设计，确保以紧凑的3.2mm x 3mm封装尺寸实现高效运行。
漏源电压为100V
连续漏极电流为12A
功耗高达 40 W
紧凑型HSMT8AG表面贴装封装