STMicroelectronics N沟道 增强模式型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 96 A, PowerFLAT, 通孔安装, 8引脚, STL130N6LF7, STH285N10F8-6AG系列
- RS 库存编号:
- 800-463
- 制造商零件编号:
- STL130N6LF7
- 制造商:
- STMicroelectronics
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| 1 - 24 | RMB4.41 |
| 25 - 99 | RMB4.32 |
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| 500 - 999 | RMB3.53 |
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- RS 库存编号:
- 800-463
- 制造商零件编号:
- STL130N6LF7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 96A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | STH285N10F8-6AG | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 93W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 标准/认证 | ECOPACK | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 96A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 STH285N10F8-6AG | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 93W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.4nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5mm | ||
高度 1mm | ||
长度 6mm | ||
标准/认证 ECOPACK | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅结构，可实现非常低的导通电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
市场上最低的 RDS(on)
出色的 FoM（品质因数）
低 Crss/Ciss 比率，可抗电磁干扰
抗雪崩强度高
逻辑电平 VGS(th)