Microchip N沟道MOSFET, Vds=1200 V, Id=119 A, 4针, TO-247-4, mSiC系列

N
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RS 库存编号:
813-816
制造商零件编号:
MSC017SMA120B4N
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

119A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247-4

系列

mSiC

安装类型

螺钉接线端子

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

17mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

194nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

3.5V

最高工作温度

175°C

宽度

16.13mm

高度

5.21mm

长度

41.42mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Microchip N通道MOSFET为高压应用提供卓越的性能,采用碳化硅技术,可在工业环境中实现高效的电源管理和热性能。

符合AEC-Q101标准的选件可在汽车应用中提供可靠性

低电容和栅极电荷可实现快速切换

可在高达175°C的温度下稳定运行,确保耐用性

卓越的雪崩耐久性可提高系统可靠性

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