制造商编号

Microchip N沟道 MOSFET, Vds=1200 V, 113 A, TO-247-4, 螺钉接线端子安装, 4引脚, MSC025SMA120B4N, mSiC系列

RS 库存编号:: 813-817
制造商零件编号:: MSC025SMA120B4N
制造商:: Microchip

Microchip N沟道 MOSFET, Vds=1200 V, 113 A, TO-247-4, 螺钉接线端子安装, 4引脚, MSC025SMA120B4N, mSiC系列

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RS 库存编号:: 813-817
制造商零件编号:: MSC025SMA120B4N
制造商:: Microchip

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	槽架类型	N沟道
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	113A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	TO-247-4
	系列	mSiC
	安装类型	螺钉接线端子
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	25mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	232nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	3.6V
	最高工作温度	175°C
	宽度	16.13mm
	标准/认证	RoHS Compliant
	长度	41.42mm
	高度	5.21mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Microchip
	槽架类型 N沟道
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 113A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 TO-247-4
	系列 mSiC
	安装类型螺钉接线端子
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 25mΩ
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 232nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 3.6V
	最高工作温度 175°C
	宽度 16.13mm
	标准/认证 RoHS Compliant
	长度 41.42mm
	高度 5.21mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - MSC025SMA120B4N

COO (Country of Origin):: CN

Microchip N通道 mSiC MOSFET专为高温应用中的高效电源管理而设计。其稳健的特性确保在严苛环境中性能可靠。

可选AEC-Q101认证版本

低栅极电荷和电容可提高效率

高热性能可减少开关损耗

稳定运行,接点温度高达175°C

Microchip N沟道 MOSFET, Vds=1200 V, 113 A, TO-247-4, 螺钉接线端子安装, 4引脚, MSC025SMA120B4N, mSiC系列

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