制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 420 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL059N4S8AG, STL059N系列

RS 库存编号:: 820-272
制造商零件编号:: STL059N4S8AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 420 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL059N4S8AG, STL059N系列

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制造商零件编号:: STL059N4S8AG
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	420A
	最大漏源电压 Vd	40V
	包装类型	PowerFLAT
	系列	STL059N
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.85mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	275nC
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	187W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	宽度	5.4mm
	高度	1mm
	标准/认证	RoHS
	长度	6.1mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 420A
	最大漏源电压 Vd 40V
	包装类型 PowerFLAT
	系列 STL059N
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.85mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 275nC
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 187W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	宽度 5.4mm
	高度 1mm
	标准/认证 RoHS
	长度 6.1mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - STL059N4S8AG

STMicroelectronics 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET 采用 Smart STripFET F8 技术设计，这是一种基于 STripFET F8 的新型专用技术，面向配电应用，具有增强型沟槽栅结构。

AEC-Q101 认证

MSL1 等级

175 °C 工作温度

100% 雪崩测试

可润湿侧翼封装

RDS(on) 极低

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