Vishay N沟道增强型单 MOSFET, Vds=60 V, Id=52 A, 8针, PowerPAK 1212-8S, SISS系列

N
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829-348
制造商零件编号:
SISS862ADN-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

52A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK 1212-8S

系列

SISS

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0072Ω

通道模式

增强模式

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.8nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

39W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

高度

1.07mm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay先进N沟道MOSFET主要设计用于高效开关应用。它具有低导通电阻特性，性能稳健。

工作电压高达60V，确保跨应用的通用性

极低的导通电阻优化了电源效率

有保障的安全运行区域提升了高负荷工况下的可靠性

经过全面的R和UIS测试，确保性能可靠

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