Vishay N沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=60 V, 52 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS862ADN-T1-UE3, SISS系列
- RS 库存编号:
- 829-348
- 制造商零件编号:
- SISS862ADN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB8.73 |
| 25 - 99 | RMB5.79 |
| 100 - 499 | RMB3.33 |
| 500 + | RMB3.24 |
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- RS 库存编号:
- 829-348
- 制造商零件编号:
- SISS862ADN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 52A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 系列 | SISS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0072Ω | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 39W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.30mm | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 宽度 | 3.30mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 52A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
系列 SISS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0072Ω | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.8nC | ||
最大功耗 Pd 39W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.30mm | ||
高度 1.07mm | ||
宽度 3.30mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay先进N沟道MOSFET主要设计用于高效开关应用。它具有低导通电阻特性，性能稳健。
工作电压高达60V，确保跨应用的通用性
极低的导通电阻优化了电源效率
有保障的安全运行区域提升了高负荷工况下的可靠性
经过全面的R和UIS测试，确保性能可靠