制造商编号

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 50.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS32ADN-T1-UE3, SiSS系列

RS 库存编号:: 878-901
制造商零件编号:: SISS32ADN-T1-UE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 50.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS32ADN-T1-UE3, SiSS系列

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RS 库存编号:: 878-901
制造商零件编号:: SISS32ADN-T1-UE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N沟道
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	50.3A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	1212-8S
	系列	SiSS
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0087Ω
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	65.7W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.4mm
	标准/认证	RoHS
	长度	3.4mm
	高度	0.83mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N沟道
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 50.3A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 1212-8S
	系列 SiSS
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0087Ω
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 65.7W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.4mm
	标准/认证 RoHS
	长度 3.4mm
	高度 0.83mm
	汽车标准否

Datasheet - SISS32ADN-T1-UE3

COO (Country of Origin):: IL

Vishay半导体推出的这款高性能N沟道MOSFET专为高效电源管理而设计，具备低导通电阻与卓越散热性能，可从容应对严苛工况环境。

TrenchFET第四代技术可实现卓越能效

极低的导通电阻可显著降低运行过程中的功耗

栅源阈值电压确保开关可靠工作

宽温度适应范围，确保在各类环境中稳定运行

封装设计便于在电路布局中实现简化集成

Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 50.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS32ADN-T1-UE3, SiSS系列

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