Vishay P-通道沟道增强型单 MOSFET, Vds=30 V, Id=6.8 A, 6针, TSOP-6, SQ系列

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RS 库存编号:
829-349
制造商零件编号:
SQ3457CEV-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

6.8A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SQ

包装类型

TSOP-6

安装类型

表面安装

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.065Ω

通道模式

增强模式

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最大功耗 Pd

5W

最高工作温度

175°C

高度

1mm

宽度

1.7mm

标准/认证

RoHS Compliant

长度

3mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE
这款Vishay汽车级P沟道MOSFET专为高性能开关应用而设计，在汽车及其他严苛环境中展现出卓越的性能表现。

TrenchFET技术确保低导通电阻，从而提升效率

通过 AEC-Q101 认证，确保在汽车应用中的可靠性

100%通过R和UIS测试，确保在压力下的性能表现

工作温度范围宽：-55°C至+175°C

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