制造商编号

Vishay P-通道沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=-100 V, -93 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SQM100P10-19L_NE3, SQM系列

RS 库存编号:: 829-357
制造商零件编号:: SQM100P10-19L_NE3
制造商:: Vishay

Vishay P-通道沟道增强模式型单 MOSFET, Vds=-100 V, -93 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SQM100P10-19L_NE3, SQM系列

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RS 库存编号:: 829-357
制造商零件编号:: SQM100P10-19L_NE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P-通道
	产品类型	单 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	-93A
	最大漏源电压 Vd	-100V
	包装类型	TO-263
	系列	SQM
	安装类型	表面安装
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.0190Ω
	通道模式	增强模式
	最大功耗 Pd	375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	124nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.5V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	宽度	10.28mm
	标准/认证	RoHS Compliant
	高度	4.57mm
	长度	10.16mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P-通道
	产品类型单 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id -93A
	最大漏源电压 Vd -100V
	包装类型 TO-263
	系列 SQM
	安装类型表面安装
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.0190Ω
	通道模式增强模式
	最大功耗 Pd 375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 124nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.5V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	宽度 10.28mm
	标准/认证 RoHS Compliant
	高度 4.57mm
	长度 10.16mm
	汽车标准否

Datasheet - SQM100P10-19L_NE3

COO (Country of Origin):: GB

这款Vishay功率MOSFET专为汽车应用设计，具有高效性能和高可靠性。其先进的TrenchFET技术确保出色的热管理和高效的开关性能。

TrenchFET技术提升了效率和热性能

额定漏源电压为-100V，确保稳健运行

采用低热阻封装设计，散热更佳

测试显示100%通过R和UIS验证，确保高可靠性

Vishay P-通道沟道 增强模式型 单 MOSFET, Vds=-100 V, -93 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SQM100P10-19L_NE3, SQM系列

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