制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强模式型 MOSFET, Vds=100 V, 302 A, PowerLeaded, 表面安装, 7引脚, STK295N10F8AG

RS 库存编号:: 834-674
制造商零件编号:: STK295N10F8AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强模式型 MOSFET, Vds=100 V, 302 A, PowerLeaded, 表面安装, 7引脚, STK295N10F8AG

小计（1 卷，共 2000 件）*

RMB41,602.00

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单位	每单位	每卷*
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RS 库存编号:: 834-674
制造商零件编号:: STK295N10F8AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N沟道
	最大连续漏极电流 Id	302A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	PowerLeaded
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	1.9mΩ
	通道模式	增强模式
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	高度	2.3mm
	长度	10.3mm
	标准/认证	ROHS
	宽度	10mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N沟道
	最大连续漏极电流 Id 302A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PowerLeaded
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ
	通道模式增强模式
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	高度 2.3mm
	长度 10.3mm
	标准/认证 ROHS
	宽度 10mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - STK295N10F8AG

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics Power MOSFET 是一款高性能 N 通道设备，专为在汽车应用中实现高效率而设计。它具有低导通电阻，适用于严苛环境。

100 V 漏源电压额定值确保性能可靠

1.9 mΩ 最大导通电阻有助于提高能效

302 A 连续电流容量支持重型应用

通过AEC-Q101认证，符合严苛的汽车行业标准

专为在 175 °C 工作温度中实现最佳性能而设计

STMicroelectronics N沟道 增强模式型 MOSFET, Vds=100 V, 302 A, PowerLeaded, 表面安装, 7引脚, STK295N10F8AG

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