STMicroelectronics N沟道 增强模式型 MOSFET, Vds=100 V, 302 A, PowerLeaded, 表面安装, 7引脚, STK295N10F8AG
- RS 库存编号:
- 834-674
- 制造商零件编号:
- STK295N10F8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 834-674
- 制造商零件编号:
- STK295N10F8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 302A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerLeaded | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 10mm | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 标准/认证 | ROHS | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 302A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerLeaded | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 10mm | ||
长度 10.3mm | ||
标准/认证 ROHS | ||
高度 2.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET 是一款高性能 N 通道设备，专为在汽车应用中实现高效率而设计。它具有低导通电阻，适用于严苛环境。
100 V 漏源电压额定值确保性能可靠
1.9 mΩ 最大导通电阻有助于提高能效
302 A 连续电流容量支持重型应用
通过AEC-Q101认证，符合严苛的汽车行业标准
专为在 175 °C 工作温度中实现最佳性能而设计