制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强模式型 MOSFET, Vds=100 V, 125 A, PowerLeaded, 表面安装, 8引脚, STL125N10LF8AG

RS 库存编号:: 834-675
制造商零件编号:: STL125N10LF8AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强模式型 MOSFET, Vds=100 V, 125 A, PowerLeaded, 表面安装, 8引脚, STL125N10LF8AG

小计（1 卷，共 3000 件）*

RMB29,649.00

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RS 库存编号:: 834-675
制造商零件编号:: STL125N10LF8AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N沟道
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	125A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	PowerLeaded
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	4.6mΩ
	通道模式	增强模式
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.1V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	宽度	5mm
	标准/认证	ROHS
	高度	1mm
	长度	6mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N沟道
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 125A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 PowerLeaded
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ
	通道模式增强模式
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.1V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	宽度 5mm
	标准/认证 ROHS
	高度 1mm
	长度 6mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - STL125N10LF8AG

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics Power MOSFET 采用先进的沟槽栅技术，可优化汽车和工业电源转换系统的功率密度和效率。

汽车级认证确保在极端条件下可靠运行

ART 品质指数状态可显著降低整体开关损耗

超低导通电阻可最大限度地减少高电流传导过程中的散热

STMicroelectronics N沟道 增强模式型 MOSFET, Vds=100 V, 125 A, PowerLeaded, 表面安装, 8引脚, STL125N10LF8AG

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