STMicroelectronics N沟道 增强模式型 MOSFET, Vds=100 V, 125 A, PowerLeaded, 表面安装, 8引脚, STL125N10LF8AG
- RS 库存编号:
- 834-675
- 制造商零件编号:
- STL125N10LF8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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- 834-675
- 制造商零件编号:
- STL125N10LF8AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 125A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerLeaded | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6mm | |
| 标准/认证 | ROHS | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 125A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerLeaded | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6mΩ | ||
通道模式 增强模式 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6mm | ||
标准/认证 ROHS | ||
高度 1mm | ||
宽度 5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET 采用先进的沟槽栅技术，可优化汽车和工业电源转换系统的功率密度和效率。
汽车级认证确保在极端条件下可靠运行
ART 品质指数状态可显著降低整体开关损耗
超低导通电阻可最大限度地减少高电流传导过程中的散热