onsemi N沟道 MOSFET, Vds=60 V, 1.7 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, FDN5630, FDN系列
- RS 库存编号:
- 838-618
- 制造商零件编号:
- FDN5630
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | RMB1.475 | RMB36.88 |
| 250 - 1225 | RMB1.196 | RMB29.90 |
| 1250 - 2475 | RMB0.914 | RMB22.85 |
| 2500 + | RMB0.718 | RMB17.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 838-618
- 制造商零件编号:
- FDN5630
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | FDN | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 0.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.4mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.7A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 FDN | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 0.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.4mm | ||
长度 2.9mm | ||
宽度 1.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Onsemi N沟道MOSFET主要用于提升使用开关PWM控制器的DC-DC转换器的效率。
针对高频应用进行了优化，确保更佳性能
具有低 RDS(on) 值，提高了紧凑型设计的效率
具备快速切换能力，可提升运行速度
采用无铅和无卤封装，符合环保要求