onsemi N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=1.7 A, 3针, SOT-23, FDN系列

N
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包装方式：
RS 库存编号:
838-618
制造商零件编号:
FDN5630
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-23

系列

FDN

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.1Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

0.5W

最高工作温度

150°C

宽度

1.4mm

高度

1.4mm

长度

2.9mm

汽车标准

否

Onsemi N沟道MOSFET主要用于提升使用开关PWM控制器的DC-DC转换器的效率。

针对高频应用进行了优化，确保更佳性能

具有低 RDS(on) 值，提高了紧凑型设计的效率

具备快速切换能力，可提升运行速度

采用无铅和无卤封装，符合环保要求

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