onsemi P-通道沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=2 A, 3针, SOT-23, FDN系列

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包装方式：
RS 库存编号:
838-639
制造商零件编号:
FDN340P
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

2A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-23

系列

FDN

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

70mΩ

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.2nC

最大功耗 Pd

0.5W

最大栅源电压 Vgs

8V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

2.9mm

高度

1.4mm

宽度

1.4mm

汽车标准

否

Onsemi P沟道MOSFET专为高效开关应用设计，具有低导通电阻和低栅极电荷特性。该设备在便携式电子产品的电源管理和负载切换方面表现出色。

可处理2A电流，最大额定电压为20V

采用先进技术，可在多种栅极电压下实现低导通电阻

采用SOT-23封装设计，具备高功率处理能力，提升了散热性能

无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，确保符合环保标准

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