onsemi N沟道MOSFET, Vds=50 V, Id=0.22 A, 3针, SOT-23-3, BSS系列

N
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包装方式:
RS 库存编号:
838-663
制造商零件编号:
BSS138-G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

0.22A

最大漏源电压 Vd

50V

系列

BSS

包装类型

SOT-23-3

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6Ω

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.4V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.4nC

最大功耗 Pd

0.36W

最高工作温度

150°C

高度

1mm

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

汽车标准

否

Onsemi N沟道增强型场效应晶体管专为在低压应用中实现高效性能而设计。它为各种电子应用提供可靠的开关能力和极低的导通电阻。

支持连续漏极电流0.22A,脉冲漏极电流0.88A

在栅极电压为10V时,导通电阻低至3.5Ω

能在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内有效运行

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