onsemi N沟道 MOSFET, Vds=60 V, 310 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, 2N7002ET7G

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838-682
制造商零件编号:
2N7002ET7G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

310mA

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOT-23

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3Ω

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

0.42W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.81nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

高度

1mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Onsemi小信号MOSFET专为低侧负载开关应用而设计。该组件采用紧凑型SOT-23封装，非常适合空间受限的设计，同时提供可靠的性能。

低导通电阻（R DS(on)）确保高效电源管理

沟槽技术提升了开关效率

通过AEC-Q101认证，适用于汽车应用

无铅且符合RoHS标准，助力环境可持续发展

可在高达260°C的铅温下操作，适用于多种焊接需求

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