Microchip N沟道 耗尽模式型 单 MOSFET, Vds=90 V, 200 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DN1509T-V/C6X, DN1509系列

N
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RS 库存编号:
849-964
制造商零件编号:
DN1509T-V/C6X
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

槽架类型

N沟道

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

90V

包装类型

SOT-23

系列

DN1509

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6Ω

通道模式

耗尽模式

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

0.36W

最大栅源电压 Vgs

2V

正向电压 Vf

1.4V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.86nC

最高工作温度

150°C

高度

1mm

标准/认证

RoHS3 Compliant

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TH
Microchip MOSFET是一款N沟道耗尽型晶体管，专为高效开关与放大而设计，可为各类应用提供高输入阻抗和卓越的热性能。

高输入阻抗可提升电路稳定性

快速切换速度可提升在各种应用中的响应时间

低导通电阻确保高效功率处理

无热失控与二次击穿风险，提升了可靠性

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