制造商编号

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, Id=40 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 851-501
制造商零件编号:: SIDR178DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, Id=40 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 851-501
制造商零件编号:: SIDR178DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	SO-8
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0029Ω
	通道模式	N
	最低工作温度	55°C
	最大功耗 Pd	375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	105nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	AEC-Q101 Qualified
	宽度	5.25mm
	长度	6.05mm
	高度	1.04mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 SO-8
	系列 TrenchFET
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0029Ω
	通道模式 N
	最低工作温度 55°C
	最大功耗 Pd 375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 105nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 AEC-Q101 Qualified
	宽度 5.25mm
	长度 6.05mm
	高度 1.04mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIDR178DP-T1-RE3

COO (Country of Origin):: TW

Vishay 高性能 N 通道 MOSFET 专为实现高效电源开关应用而设计。其功能确保在不同电压和电流范围内可靠运行。

TrenchFET 技术确保低导通电阻和高效率

顶部冷却可提高热传递能力

无铅无卤结构支持环保合规性

通过 100% R 和 UIS 测试进行全面测试,确保可靠性

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