制造商编号

Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=295 A, mSiC系列

RS 库存编号:: 854-512
制造商零件编号:: MSCSM330AM07CD3NG
制造商:: Microchip

Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=295 A, mSiC系列

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RS 库存编号:: 854-512
制造商零件编号:: MSCSM330AM07CD3NG
制造商:: Microchip

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Microchip
	槽架类型	N
	产品类型	SiC 电源模块
	最大连续漏极电流 Id	295A
	最大漏源电压 Vd	3300V
	系列	mSiC
	安装类型	散热器
	通道模式	增强模式
	最大功耗 Pd	1918W
	最高工作温度	175°C
	晶体管配置	半桥
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Microchip
	槽架类型 N
	产品类型 SiC 电源模块
	最大连续漏极电流 Id 295A
	最大漏源电压 Vd 3300V
	系列 mSiC
	安装类型散热器
	通道模式增强模式
	最大功耗 Pd 1918W
	最高工作温度 175°C
	晶体管配置半桥
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - MSCSM330AM07CD3NG

Microchip 碳化硅电源模块在高性能应用中表现出色，可为苛刻环境提供卓越的电压处理和连续漏极电流能力。

强大的热可靠性确保在高温条件下实现卓越性能

集成肖特基二极管提供零反向恢复，可增强开关行为

采用 Kelvin 源配置设计，可简化栅极驱动

紧凑型隔离封装，可直接安装到散热器上

Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=295 A, mSiC系列

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