Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=295 A, mSiC系列
- RS 库存编号:
- 854-514
- 制造商零件编号:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- 制造商:
- Microchip
N
此图片代表整个产品系列,仅供参考。
小计(1 件)*
RMB8,200.50
(不含税)
RMB9,266.56
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年3月29日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB8,200.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 854-514
- 制造商零件编号:
- MSCSM330DUM07CD3NG
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | SiC 电源模块 | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 295A | |
| 最大漏源电压 Vd | 3300V | |
| 系列 | mSiC | |
| 安装类型 | 散热器 | |
| 通道模式 | 增强模式 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大功耗 Pd | 1918W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 半桥 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 SiC 电源模块 | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 295A | ||
最大漏源电压 Vd 3300V | ||
系列 mSiC | ||
安装类型 散热器 | ||
通道模式 增强模式 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大功耗 Pd 1918W | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 半桥 | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip 碳化硅电源模块将双共源功能与高电压功能相结合,专为在苛刻应用中实现高效运行和卓越性能而设计。
低 R DS(on),可确保将功耗降至最低
不受温度影响的开关特性,可增强可靠性
铜基板提供出色的热管理
符合 RoHS 标准,实现环保运行
相关链接
- Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=295 A, mSiC系列
- Microchip N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=3300 V, Id=151 A, mSiC系列
- onsemi SiC 电源模块, Id=28 A, 3针, TO-220
- ROHM N沟道SiC 电源模块, Vds=1200 V, Id=204 A
- onsemi N沟道SiC 电源模块, Vds=1200 V, Id=304 A, 36针, F2
- Microchip N沟道模块, Vds=1200 V, Id=251 A, MSCSM系列
- Microchip N沟道模块, Vds=1700 V, Id=179 A, MSCSM系列
- Microchip N沟道 MOSFET, Vds=3300 V, 27 A, TO-247-4L, 螺钉接线端子安装, 4引脚, MSC080SMA330B4N, mSiC系列
