Microchip N沟道模块, Vds=1200 V, Id=251 A, MSCSM系列

N

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RS 库存编号:
813-787
制造商零件编号:
MSCSMG120ANPCM11TPAG
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

槽架类型

N

产品类型

模块

最大连续漏极电流 Id

251A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

MSCSM

安装类型

PCB

最大漏源电阻 Rd

10.4mΩ

最大功耗 Pd

1042W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

123nC

最大栅源电压 Vgs

23V

正向电压 Vf

4V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

高度

62mm

标准/认证

RoHS

宽度

17.3mm

长度

108mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
PH
Microchip高性能碳化硅功率模块为严苛的工业应用提供卓越的能效。该坚固耐用的模块优化了能量转换,同时最大限度地降低了高频环境中的开关损耗。

采用IGBT7技术,可实现更低的电压降与极小的漏电流

内置热敏电阻,可实现精确的温度监测

设计采用低杂散电感,以实现卓越性能

包括可焊接端子,便于在薄型应用中安装PCB

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