制造商编号

STMicroelectronics N沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, Id=181 A, 8针, PowerFLAT, STL系列

RS 库存编号:: 898-600
制造商零件编号:: STL180N8F8
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, Id=181 A, 8针, PowerFLAT, STL系列

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RS 库存编号:: 898-600
制造商零件编号:: STL180N8F8
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	181A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	STL
	包装类型	PowerFLAT
	安装类型	表面安装
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	2.3mΩ
	通道模式	N
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	167W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	85nC
	正向电压 Vf	1.3V
	晶体管配置	增强模式
	最高工作温度	175°C
	长度	5.8mm
	高度	1mm
	宽度	5mm
	标准/认证	ECOPACK2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 181A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 STL
	包装类型 PowerFLAT
	安装类型表面安装
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 2.3mΩ
	通道模式 N
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 167W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC
	正向电压 Vf 1.3V
	晶体管配置增强模式
	最高工作温度 175°C
	长度 5.8mm
	高度 1mm
	宽度 5mm
	标准/认证 ECOPACK2
	汽车标准否

Datasheet - STL180N8F8

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics N 沟道增强型功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。凭借极低的导通电阻实现了业界领先的品质因数，同时可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。

MSL1 等级

100% 雪崩测试

低栅极电荷

STMicroelectronics N沟道功率 MOSFET, Vds=80 V, Id=181 A, 8针, PowerFLAT, STL系列

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