制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=9 A, 6针, PowerPAK, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 904-973
制造商零件编号:: SIA4620DJ-T1-GE3
制造商:: Vishay

N

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=9 A, 6针, PowerPAK, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 904-973
制造商零件编号:: SIA4620DJ-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	9A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	PowerPAK
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面安装
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	0.023Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	17.9W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.4nC
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	长度	2.05mm
	宽度	2.05mm
	标准/认证	ROHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 9A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 PowerPAK
	系列 TrenchFET
	安装类型表面安装
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 0.023Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 17.9W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.4nC
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	长度 2.05mm
	宽度 2.05mm
	标准/认证 ROHS
	汽车标准否

Datasheet - SIA4620DJ-T1-GE3

COO (Country of Origin):: IL

Vishay N 沟道 MOSFET 专为实现高效电源管理而设计。由于高性能指标和紧凑型包装，它在各种应用中表现出色，适用于现代电子设计。

最大漏源电压为 60 V

采用低导通电阻，可提升效率

在 25 °C 时提供高达 8.6 A 的连续漏极电流

包含广泛的可靠性和性能测试

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