Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=45 V, Id=208 A, 8针, PowerPAK, TrenchFET系列

N

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RS 库存编号:
904-977
制造商零件编号:
SIR608DP-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

208A

最大漏源电压 Vd

45V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0012Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

50.5nC

最大功耗 Pd

104W

最高工作温度

150°C

标准/认证

ROHS

长度

6.15mm

宽度

5.15mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay 功率 MOSFET 专为高功率应用中的高效性能而设计，可提供可靠的漏源电压和电流管理。它在提高电子系统的能效方面发挥着至关重要的作用。

N 通道设计，可优化导电性和性能

最大漏源电压为 45 V，确保稳健运行

低导通电阻可提高功率效率和热性能

集成了雪崩等级，可防止过度电压峰值

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