STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=40 A, 4针, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH系列

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RS 库存编号:
103-1568
制造商零件编号:
STE40NC60
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

ISOTOP

系列

MDmesh, SuperMESH

安装类型

面板

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

460W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

307.5nC

最低工作温度

-65°C

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最高工作温度

150°C

宽度

25.5mm

长度

38.2mm

标准/认证

No

高度

9.1mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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