STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 53 A, ISOTOP, 螺钉安装, 4引脚, MDmesh, SuperMESH系列
- RS 库存编号:
- 485-7383
- 制造商零件编号:
- STE53NC50
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 件）*
¥276.27
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB276.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 485-7383
- 制造商零件编号:
- STE53NC50
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 53 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 封装类型 | ISOTOP | |
| 系列 | MDmesh, SuperMESH | |
| 安装类型 | 螺钉 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 460 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 长度 | 38.2mm | |
| 宽度 | 25.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 310 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 高度 | 9.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 53 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
封装类型 ISOTOP | ||
系列 MDmesh, SuperMESH | ||
安装类型 螺钉 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 80 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 460 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
长度 38.2mm | ||
宽度 25.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 310 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
高度 9.1mm | ||