STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=710 V, Id=42 A, 3针, TO-263, MDmesh M5系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 1000 件）*

RMB84,340.00

(不含税)

RMB95,300.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年1月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
1000 - 4000RMB84.34RMB84,340.00
5000 +RMB82.653RMB82,653.00

* 参考价格

RS 库存编号:
103-2002
制造商零件编号:
STB57N65M5
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

42A

最大漏源电压 Vd

710V

系列

MDmesh M5

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

63mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

250W

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

-25, +25V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

98nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

9.35mm

高度

4.6mm

长度

10.4mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics


MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


相关链接