STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=710 V, Id=42 A, 3针, TO-247, MDmesh M5系列

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RS 库存编号:
168-7623
制造商零件编号:
STW57N65M5
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

42A

最大漏源电压 Vd

710V

包装类型

TO-247

系列

MDmesh M5

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

63mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-25, +25V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

250W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

98nC

正向电压 Vf

1.5V

最高工作温度

150°C

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics


MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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