Infineon , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 1.5 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 110-7726P
- 制造商零件编号:
- BSL215CH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 110-7726P
- 制造商零件编号:
- BSL215CH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 280mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 宽度 | 1.6 mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-36-974 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.5A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TSOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 280mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
宽度 1.6 mm | ||
高度 1mm | ||
长度 2.9mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-36-974 | ||
Infineon OptiMOS™ 双电源 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。