Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 190 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BST82系列
- RS 库存编号:
- 112-5548P
- 制造商零件编号:
- BST82,215
- 制造商:
- Nexperia
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥15.78
(不含税)
¥17.83
(含税)
有库存
- 39,650 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 20 | RMB1.578 |
| 25 - 45 | RMB1.534 |
| 50 - 95 | RMB1.50 |
| 100 + | RMB1.494 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 112-5548P
- 制造商零件编号:
- BST82,215
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 190mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | BST82 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 830mW | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 190mA | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 BST82 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 10Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 830mW | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN