ROHM P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 4 A, TSMT, 表面安装, 3引脚, RQ5E040RPTL, RRR040P03系列
- RS 库存编号:
- 124-6810
- 制造商零件编号:
- RQ5E040RPTL
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥78.78
(不含税)
¥89.02
(含税)
暂时缺货
- 3,000 件在 2026年3月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB3.939 | RMB78.78 |
| 760 - 1480 | RMB3.821 | RMB76.42 |
| 1500 + | RMB3.706 | RMB74.12 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 124-6810
- 制造商零件编号:
- RQ5E040RPTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSMT | |
| 系列 | RRR040P03 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 72mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.6 mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSMT | ||
系列 RRR040P03 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 72mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.5nC | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.6 mm | ||
长度 2.9mm | ||
高度 0.85mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||