Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=5.4 A, 8针, SOIC, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
130-0969
制造商零件编号:
IRF9335TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

5.4A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

110mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.5W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.1nC

最高工作温度

150°C

长度

5mm

标准/认证

No

宽度

4mm

高度

1.5mm

汽车标准

否

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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