Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=8 A, 6针, TSOP, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
134-9155
制造商零件编号:
SI3493DDV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

TrenchFET

包装类型

TSOP

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

51mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

34.8nC

最大功耗 Pd

3.6W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

8V

最高工作温度

150°C

高度

1mm

长度

3.1mm

标准/认证

No

宽度

1.7mm

汽车标准

否

P 通道 MOSFET，TrenchFET Gen IV，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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