Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 120 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚

品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

120 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

2.8 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

375 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

每片芯片元件数目

1

宽度

4.65mm

长度

10.51mm

典型栅极电荷@Vgs

126 nC @ 10 V

高度

15.49mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.5V