Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=29 A, 8针, SO-8, SiR632DP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
134-9723
制造商零件编号:
SIR632DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

SiR632DP

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

41mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

69.5W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

-1.2V

最高工作温度

150°C

高度

1.12mm

宽度

5.26mm

标准/认证

No

长度

6.25mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，TrenchFET 高达 Gen III，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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