Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 11 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQ Rugged系列

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RS 库存编号:
145-2756
制造商零件编号:
SQD19P06-60L_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252

系列

SQ Rugged

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

27nC

最大功耗 Pd

46W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

6.22 mm

长度

6.73mm

高度

2.38mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TW

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor