Vishay 单 N型, N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=50 V, 50 A, TO-252, PCB安装, 表面安装, 3引脚, SQD50N05-11L_GE3, SQ Rugged系列
- RS 库存编号:
- 787-9493
- 制造商零件编号:
- SQD50N05-11L_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SQD50N05-11L_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | SQ Rugged | |
| 安装类型 | PCB安装, 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101, AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 SQ Rugged | ||
安装类型 PCB安装, 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.22mm | ||
高度 2.38mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 AEC-Q101, AEC-Q101 | ||
N 沟道 MOSFET，汽车级 SQ Rugged 系列，Vishay Semiconductor
SQ
SQ Rugged 系列 MOSFET 的优势
• AEC-Q101 认证
• 结温高达 +175℃
• 采用低导通电阻的 n 沟道与 p 沟道 TrenchFET® 技术
• 创新的节省空间包装方案
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101