Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=250 V, 61 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS FD系列

RS 库存编号:: 145-8744
制造商零件编号:: IPP220N25NFDAKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=250 V, 61 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS FD系列

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RS 库存编号:: 145-8744
制造商零件编号:: IPP220N25NFDAKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	61A
	最大漏源电压 Vd	250V
	包装类型	TO-220
	系列	OptiMOS FD
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	22mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	65nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	300W
	最高工作温度	175°C
	宽度	4.57 mm
	长度	10.36mm
	标准/认证	No
	高度	15.95mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 61A
	最大漏源电压 Vd 250V
	包装类型 TO-220
	系列 OptiMOS FD
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 22mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 300W
	最高工作温度 175°C
	宽度 4.57 mm
	长度 10.36mm
	标准/认证 No
	高度 15.95mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

英飞凌 OptiMOS FD 系列 MOSFET，61A 最大连续漏极电流，300W 最大功率耗散 - IPP220N25NFDAKSA1

这款 MOSFET 专为需要高效电源管理的高性能应用而设计。凭借其 N 沟道增强模式配置和强大的规格，它在自动化、电子和电气系统等领域发挥着至关重要的作用。它的最大连续漏极电流为 61A，击穿电压为 250V，可在具有挑战性的环境中提供可靠性和热性能。

特点和优势

• 低导通电阻提高了运行时的能效

• 大电流能力支持各种应用

• 工作温度最高可达 +175°C ，增强了多功能性

• 针对硬换向进行了优化，更加坚固耐用

• 符合 RoHS 和无卤素规定，促进环保

• 高效的栅极电荷特性确保有效开关

应用

• 用于自动化设备的电源转换电路中

• 工业机械大功率电机驱动的理想选择

• 常用于电子设备的电源

• 适用于汽车电源管理系统

• 用于可再生能源系统的逆变器

最大功率耗散能力是多少？

它的最大功率耗散可达 300W，确保了在高负载情况下的性能。

它在高温环境下的性能如何？

这种 MOSFET 可在高达 +175°C 的温度下连续工作，适用于极端条件。

它能处理脉冲漏极电流吗？

是的，该器件可管理高达 244A 的脉冲漏极电流，有利于瞬态负载应用。

Rds(on) 值较低有何意义？

22mΩ 的低 Rds(on)降低了运行过程中的功率损耗并提高了效率，这对能源敏感型应用至关重要。

如何安装才能达到最佳性能？

该器件采用 TO-220 封装，专为通孔安装而设计，有助于电路设计中的热管理。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 61 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS FD系列