IXYS N沟道增强型功率MOSFET, Vds=500 V, Id=60 A, 3针, TO-3PN, Polar3系列

查看所有MOSFET
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
146-1755
制造商零件编号:
IXFQ60N50P3
制造商:
IXYS
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

IXYS

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-3PN

系列

Polar3

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

96nC

最大功耗 Pd

1.04kW

正向电压 Vf

1.4V

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最高工作温度

150°C

高度

20.3mm

长度

15.8mm

标准/认证

No

宽度

4.9mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
US

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列


一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管，IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

相关链接