IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 26 A, TO-3P, 通孔安装, 3引脚, IXFQ26N50P3

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包装方式:
RS 库存编号:
802-4458
制造商零件编号:
IXFQ26N50P3
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

26A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-3P

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

240mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.4V

最大功耗 Pd

500W

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

长度

15.8mm

标准/认证

No

高度

20.3mm

宽度

4.9 mm

Distrelec Product Id

304-36-393

汽车标准

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列


一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

MOSFET 晶体管,IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备