DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=7.6 A, 8针, SOIC, DMT系列

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包装方式：
RS 库存编号:
146-4775
制造商零件编号:
DMTH6016LSD-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

7.6A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

DMT

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

28mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.7V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.4nC

最大功耗 Pd

1.4W

晶体管配置

双

最高工作温度

175°C

高度

1.5mm

宽度

3.95mm

标准/认证

No

长度

4.95mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N 通道 MOSFET，Diodes Inc.


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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