DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 11.9 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, DMT6016LSS-13, DMT6016LSS系列
- RS 库存编号:
- 921-1177
- 制造商零件编号:
- DMT6016LSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥56.44
(不含税)
¥63.78
(含税)
有库存
- 40,100 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 620 | RMB2.822 | RMB56.44 |
| 640 - 1240 | RMB2.737 | RMB54.74 |
| 1260 + | RMB2.654 | RMB53.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 921-1177
- 制造商零件编号:
- DMT6016LSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | DMT6016LSS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 28mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.7V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.1W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.95 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11.9A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 DMT6016LSS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 28mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.7V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.1W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.5mm | ||
长度 4.95mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.95 mm | ||
汽车标准 否 | ||