Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=19 A, 8针, SO-8, SiR462DP系列
- RS 库存编号:
- 165-2723
- 制造商零件编号:
- SIR462DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- SIR462DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SiR462DP | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 800mV | |
| 最大功耗 Pd | 4.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.04mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.89mm | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 19A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SiR462DP | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 800mV | ||
最大功耗 Pd 4.8W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.04mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.89mm | ||
长度 4.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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