Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 35 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, Si7615ADN系列

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165-6973
制造商零件编号:
SI7615ADN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

35A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

PowerPAK 1212-8

系列

Si7615ADN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0044Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

52W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

59nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.1V

最大栅源电压 Vgs

±12 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

Lead (Pb)-Free

高度

1.12mm

宽度

3.4 mm

长度

3.4mm

汽车标准

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor